
Opis
Karta katalogowa tranzystora S8550:
CECHY
Uzupełniający dla S8050
Prąd kolektora: IC=0.5A
MAKSYMALNE OCENY (stopień Ta=25, o ile nie zaznaczono inaczej)

Parametr
Symbol Warunki testowe Min Maks Jednostka
Napięcie przebicia kolektor-podstawa
V(BR)CBO
IC=-100μA, IE=0
-40 V
Napięcie przebicia kolektor-emiter
Układ scalony CEO (BR) =-1mA, IB=0 -25 V
Napięcie przebicia emiter-baza
W(BR)EBO
IE= -100μA, IC=0
-5 V
Prąd odcięcia kolektora
ICBO VCB= -40V, IE=0 -0.1
μA
Prąd odcięcia kolektora
ICEO VCE= -20V, IB=0 -0.1
μA
Prąd odcięcia emitera
IEBO VEB= -3V, IC=0 -0.1
μA
hFE(1) VCE= -1V, IC= -50mA 120 400
Wzmocnienie prądu stałego
hFE(2) VCE= -1V, IC= -500mA 50
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
VCE(sat) IC =-500mA, IB=-50mA -0.6 V
Napięcie nasycenia baza-emiter
VBE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA -1.2 V
Częstotliwość przejścia
ft
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
150MHz
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA (Ta=25 )

Tranzystor S8550, znany również jako tranzystor bipolarny PNP, jest popularnym elementem elektronicznym używanym w wielu aplikacjach. Tranzystor ten może obsługiwać prądy kolektora do 700 mA i napięcia kolektor-emiter do 20 V, co czyni go odpowiednim do wielu zastosowań o niskim poborze mocy.
Jedną z kluczowych cech tranzystora S8550 jest jego komplementarność z tranzystorem UTC S8050, który jest tranzystorem NPN Bipolar Junction. Ta cecha sprawia, że jest to idealny wybór do zastosowań wymagających wzmocnienia mocy lub prostych obwodów przełączających.
Inną ważną cechą tranzystora S8550 jest to, że nie zawiera halogenów, co jest przyjazne dla środowiska i uważane za znaczącą zaletę w nowoczesnej produkcji elektronicznej. Stosowanie materiałów bezhalogenowych w komponentach elektronicznych szybko staje się standardową praktyką w branży.
Niektóre typowe zastosowania tranzystora S8550 obejmują wzmacniacze audio, przedwzmacniacze mikrofonowe i regulatory napięcia. Ponadto jest on również używany w obwodach przełączających o niskiej mocy, takich jak sterowniki LED, sterowniki silników i przekaźniki.
Podczas stosowania tranzystorów S8550, należy pamiętać o kilku parametrach roboczych. Na przykład, maksymalne wzmocnienie tego tranzystora wynosi około 630, a jego maksymalna moc rozpraszania wynosi 625 miliwatów. Innym istotnym czynnikiem, który należy wziąć pod uwagę, jest napięcie baza-emiter, które zazwyczaj mieści się w zakresie od 0,6 V do 0,7 V.
Tranzystor S8550 to wszechstronny i niezawodny komponent, odpowiedni do szerokiej gamy zastosowań o niskim poborze mocy. Jego komplementarność z UTC S8050, wysoki prąd kolektora i napięcie kolektor-emiter sprawiają, że jest idealnym wyborem dla wielu obwodów wzmacniających moc i przełączających. Fakt, że nie zawiera halogenów, sprawia, że jest również przyjazny dla środowiska.
Częstotliwość
P: Czy udostępniacie próbki? Czy są darmowe?
A: Jeśli wartość próbki jest niska, dostarczymy 20-30 sztuk do przetestowania.
P: Gdzie znajduje się Wasza fabryka?
A: W prowincji Zhejiang
Popularne Tagi: Tranzystor SILICON S8550, Chiny, dostawcy, producenci, fabryka, dystrybutorzy, oferta cenowa, zapasy, Shenzhen, OEM, w magazynie
Wyślij zapytanie
Może ci się spodobać również







