Wiedza

Małosygnałowy MOSFET z ochroną ESD 2n7002k 2n7002k to uniwersalny małosygnałowy MOSFET, który zapewnia doskonałą ochronę ESD w różnych zastosowaniach. To N-kanałowe pionowe urządzenie DMOS jest przezn

Prostowniki barierowe Schottky'ego SS310 to wysoce wydajne komponenty o niskich stratach mocy, które idealnie nadają się do zautomatyzowanego umieszczania. Oferują lepszą wydajność w porównaniu ze sta

SMA4748 to rodzaj diody Zenera, który idealnie nadaje się do zastosowań montowanych powierzchniowo, ze stratą mocy 1,0W. Diody te są zbudowane przy użyciu technik epitaksjalnych i mają niski prąd wste

TL431 to wszechstronny i precyzyjny regulator bocznikowy, który oferuje szeroki zakres funkcji do użytku w różnych zastosowaniach. Ten regulowany regulator ma równoważny współczynnik temperaturowy w p

N-kanałowy MOSFET IRLML0060TRPBF to wysoce wydajne urządzenie, które zostało zaprojektowane w celu zapewnienia optymalnej wydajności w szeregu zastosowań. To urządzenie jest wyposażone w konstrukcję T

2N2907A TRANZYSTOR: Szybki krzemowy płaski epitaksjalny tranzystor PNP 2N2907A to szybki krzemowy płaski epitaksjalny tranzystor PNP, który jest szeroko stosowany w różnych zastosowaniach przemysłowyc

Charakterystyka przewodzenia tranzystora MOS Przewodnictwo oznacza działanie jak przełącznik, co odpowiada zamknięciu przełącznika. Cechą charakterystyczną NMOS jest to, że Vgs będzie przewodzić, gdy

Układ UC3842 to wysokowydajny kontroler trybu prądu o stałej częstotliwości. Typowi producenci to: Onsemi Semiconductor, Fairchild Semi, Texas Instruments, Motorola i inne firmy. Według różnych produc

Wprowadzenie do zasady działania tyrystora Tyrystorowa regulacja prędkości to metoda zmiany kąta przewodzenia tyrystora w celu zmiany kształtu fali napięcia na zaciskach silnika, a tym samym zmiany ef

Główne parametry tyrystora Prąd znamionowy (IT) odnosi się do maksymalnego stabilnego prądu roboczego, powszechnie zwanego prądem. IT powszechnie stosowanego tyrystora wynosi na ogół od jednego ampera

Charakterystyka tyrystora 1. Średnia wartość sinusoidalnego prądu półfalowego o częstotliwości 50 Hz, który może w sposób ciągły przepływać między anodą a katodą w określonych warunkach przy znamionow

Opakowanie przeszło z grubsza następujący proces rozwoju: Pod względem struktury. TO → DIP → PLCC → QFP → BGA → CSP. Pod względem materiałów. Metale, ceramika, ceramika, tworzywa sztuczne i tworzywa s